IXTN46N50L 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:	IXYS Semiconductor
分类:	MOS管
封装:	SOT-227-4
描述:	N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear seriesN-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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IXTN46N50L 技术参数、封装参数

类型	描述
引脚数	4 Pin
封装	SOT-227-4
极性	N-CH
功耗	700 W
漏源极电压(Vds)	500 V
连续漏极电流(Ids)	46A
上升时间	50 ns
输入电容值(Ciss)	7000pF @25V(Vds)
下降时间	42 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	700000 mW

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IXTN46N50L 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	38.2 mm
宽度	25.07 mm
高度	9.6 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTN46N50L 符合标准

IXTN46N50L 概述

IXTN46N50L 数据手册

IXYS Semiconductor

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IXTN46N50 数据手册

IXTN46N50L 数据手册

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N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear seriesN-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

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