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IXTN60N50L2
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IXTN60N50L2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXTN60N50L2  晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 53 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 2.5 V
PDF文件:IXTN60N50L2 数据手册 (6 页)封装尺寸在2 页4 页
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焊盘图
引脚图
产品图
IXTN60N50L2 数据手册 (6 页)
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IXTN60N50L2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
针脚数4 Position
漏源极电阻100 mΩ
极性N-Channel
功耗735 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
上升时间40 ns
输入电容值(Ciss)24000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)735 W
下降时间38 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)735W (Tc)
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IXTN60N50L2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度38.23 mm
宽度25.42 mm
高度12.22 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTN60N50L2 数据手册

IXTN60N50L2 数据手册
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IXYS SEMICONDUCTOR  IXTN60N50L2  晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 53 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 2.5 V
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