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IXTP110N055T2
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IXTP110N055T2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-220-3
PDF文件:IXTP110N055T2 数据手册 (6 页)
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焊盘图
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IXTP110N055T2 数据手册 (6 页)
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IXTP110N055T2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
极性N-CH
功耗180 W
漏源极电压(Vds)55 V
连续漏极电流(Ids)110A
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)3060pF @25V(Vds)
额定功率(Max)180 W
下降时间23 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)180W (Tc)
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IXTP110N055T2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.66 mm
宽度4.83 mm
高度9.15 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXTP110N055T2 数据手册

IXTP110N055T2 数据手册
IXYS Semiconductor
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