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IXTP120P065T 数据手册 - IXYS Semiconductor
制造商:
IXYS Semiconductor
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
PDF文件:
IXTP120P065T 数据手册 (7 页)
封装尺寸
在
2 页
4 页
6 页
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
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IXTP120P065T 数据手册
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IXTP120P065T 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
极性
P-CH
功耗
298W (Tc)
漏源极电压(Vds)
65 V
连续漏极电流(Ids)
120A
输入电容值(Ciss)
13200pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
298W (Tc)
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IXTP120P065T 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTP120P065T 符合标准
IXTP120P065T 概述
通孔 P 通道 65 V 120A(Tc) 298W(Tc) TO-220AB
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IXTP120P065T 数据手册
IXTP120P065T
数据手册
IXYS Semiconductor
7 页 / 0.21 MByte
IXTP120P065T
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IXYS Semiconductor
6 页 / 0.18 MByte
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