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IXTP50N20P
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IXTP50N20P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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IXTP50N20P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
极性N-CH
功耗360 W
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)50A
上升时间35 ns
输入电容值(Ciss)2720pF @25V(Vds)
额定功率(Max)360 W
下降时间30 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)360000 mW
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IXTP50N20P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.66 mm
宽度4.83 mm
高度9.15 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXTP50N20P 数据手册

IXTP50N20P 数据手册
IXYS Semiconductor
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