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IXTP50N25T
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IXTP50N25T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N沟道 250V
PDF文件:IXTP50N25T 数据手册 (6 页)
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焊盘图
引脚图
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IXTP50N25T 数据手册 (6 页)
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IXTP50N25T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
通道数1 Channel
漏源极电阻60 mΩ
极性N-CH
功耗400 W
漏源极电压(Vds)250 V
漏源击穿电压250 V
连续漏极电流(Ids)50A
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)4000pF @25V(Vds)
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)400W (Tc)
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IXTP50N25T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTP50N25T 数据手册

IXTP50N25T 数据手册
IXYS Semiconductor
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