Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXTP56N15T Datasheet 文档
IXTP56N15T
来自 AiPCBA

IXTP56N15T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-220-3
PDF文件:IXTP56N15T 数据手册 (6 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXTP56N15T 数据手册 (6 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXTP56N15T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-220-3
极性N-CH
功耗300W (Tc)
漏源极电压(Vds)150 V
连续漏极电流(Ids)56A
输入电容值(Ciss)2250pF @25V(Vds)
额定功率(Max)300 W
耗散功率(Max)300W (Tc)
查看数据手册 >

IXTP56N15T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
查看数据手册 >

IXTP56N15T 数据手册

IXTP56N15T 数据手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 0.19 MByte
IXTP56N15T 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
13 页 / 1.82 MByte

IXTP56N15 数据手册

IXTP56N15T 数据手册
IXYS Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet