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IXTP8N50P
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IXTP8N50P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-220-3
PDF文件:IXTP8N50P 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
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IXTP8N50P 数据手册 (5 页)
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IXTP8N50P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)500 V
额定电流8.00 A
封装TO-220-3
通道数1 Channel
漏源极电阻800 mΩ
极性N-Channel
功耗150 W
阈值电压5.5 V
输入电容1.05 nF
栅电荷20.0 nC
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
连续漏极电流(Ids)8.00 A
上升时间28 ns
输入电容值(Ciss)1050pF @25V(Vds)
下降时间23 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)150W (Tc)
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IXTP8N50P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.66 mm
宽度4.83 mm
高度16 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTP8N50P 数据手册

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IXYS Semiconductor
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