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IXTQ130N10T
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IXTQ130N10T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-3-3
描述:N沟道 100V 130A
PDF文件:IXTQ130N10T 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
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IXTQ130N10T 数据手册 (5 页)
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IXTQ130N10T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-3-3
功耗360W (Tc)
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间47 ns
输入电容值(Ciss)5080pF @25V(Vds)
额定功率(Max)360 W
下降时间28 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)360W (Tc)
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IXTQ130N10T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXTQ130N10T 数据手册

IXTQ130N10T 数据手册
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