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IXTQ170N10P
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IXTQ170N10P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-3-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXTQ170N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 170 A, 100 V, 9 mohm, 15 V, 5 V
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IXTQ170N10P 数据手册 (5 页)
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IXTQ170N10P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-3-3
针脚数3 Position
漏源极电阻9 mΩ
极性N-Channel
功耗714 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)170 A
上升时间50 ns
反向恢复时间120 ns
输入电容值(Ciss)6000pF @25V(Vds)
下降时间33 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)715W (Tc)
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IXTQ170N10P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度15.8 mm
宽度4.9 mm
高度20.3 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXTQ170N10P 数据手册

IXTQ170N10P 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.16 MByte
IXTQ170N10P 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.2 MByte
IXTQ170N10P 开发手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 1.89 MByte

IXTQ170N10 数据手册

IXTQ170N10P 数据手册
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXTQ170N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 170 A, 100 V, 9 mohm, 15 V, 5 V
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