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IXTQ82N25P
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IXTQ82N25P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-3-3
描述:250V 82A PolarHT N沟道 功率 Mosfet TO-3P
PDF文件:IXTQ82N25P 数据手册 (5 页)
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IXTQ82N25P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-3-3
通道数1 Channel
漏源极电阻35 mΩ
极性N-CH
功耗500 W
漏源极电压(Vds)250 V
漏源击穿电压250 V
连续漏极电流(Ids)82A
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)4800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)500 W
下降时间22 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)500W (Tc)
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IXTQ82N25P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度15.8 mm
宽度4.9 mm
高度20.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTQ82N25P 数据手册

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250V 82A PolarHT N沟道 功率 Mosfet TO-3P
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