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IXTQ88N30P
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IXTQ88N30P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-3-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXTQ88N30P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 88 A, 300 V, 40 mohm, 10 V, 5 V
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IXTQ88N30P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-3-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.04 Ω
极性N-Channel
功耗600 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)300 V
连续漏极电流(Ids)88.0 A
上升时间24 ns
反向恢复时间250 ns
输入电容值(Ciss)6300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)600 W
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)600W (Tc)
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IXTQ88N30P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTQ88N30P 数据手册

IXTQ88N30P 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.31 MByte
IXTQ88N30P 开发手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 1.89 MByte

IXTQ88N30 数据手册

IXTQ88N30P 数据手册
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IXYS SEMICONDUCTOR  IXTQ88N30P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 88 A, 300 V, 40 mohm, 10 V, 5 V
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