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IXTT110N10L2
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IXTT110N10L2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-268-3
描述:N沟道 100V 110A
PDF文件:IXTT110N10L2 数据手册 (5 页)
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焊盘图
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IXTT110N10L2 数据手册 (5 页)
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IXTT110N10L2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-268-3
极性N-CH
功耗600 W
输入电容10.5 nF
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)110A
上升时间130 ns
输入电容值(Ciss)10500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)600 W
下降时间24 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)600W (Tc)
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IXTT110N10L2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTT110N10L2 数据手册

IXTT110N10L2 数据手册
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