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IXTT170N10P
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IXTT170N10P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-268-3
PDF文件:IXTT170N10P 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
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IXTT170N10P 数据手册 (5 页)
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IXTT170N10P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-268-3
通道数1 Channel
极性N-CH
功耗715 W
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)170A
上升时间50 ns
输入电容值(Ciss)6000pF @25V(Vds)
下降时间33 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)715W (Tc)
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IXTT170N10P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
包装方式Tube
宽度14 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXTT170N10P 数据手册

IXTT170N10P 数据手册
IXYS Semiconductor
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