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IXTT6N120
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IXTT6N120 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-268-3
PDF文件:IXTT6N120 数据手册 (4 页)
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焊盘图
引脚图
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IXTT6N120 数据手册 (4 页)
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IXTT6N120 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-268-3
通道数1 Channel
漏源极电阻2.6 Ω
极性N-CH
功耗300 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)1200 V
漏源击穿电压1200 V
连续漏极电流(Ids)6A
上升时间33 ns
输入电容值(Ciss)1950pF @25V(Vds)
额定功率(Max)300 W
下降时间18 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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IXTT6N120 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
长度14 mm
宽度16.05 mm
高度5.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTT6N120 数据手册

IXTT6N120 数据手册
IXYS Semiconductor
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