Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXTT88N30P Datasheet 文档
IXTT88N30P
来自 AiPCBA

IXTT88N30P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-268-3
描述:N沟道 300V 88A
PDF文件:IXTT88N30P 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXTT88N30P 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXTT88N30P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-268-3
通道数1 Channel
漏源极电阻40 mΩ
极性N-CH
功耗600 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)300 V
漏源击穿电压300 V
连续漏极电流(Ids)88A
上升时间24 ns
输入电容值(Ciss)6300pF @25V(Vds)
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)600W (Tc)
查看数据手册 >

IXTT88N30P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度14 mm
宽度16.05 mm
高度5.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IXTT88N30P 数据手册

IXTT88N30P 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.31 MByte

IXTT88N30 数据手册

IXTT88N30P 数据手册
IXYS Semiconductor
N沟道 300V 88A
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet