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IXTX200N10L2
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IXTX200N10L2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
PDF文件:IXTX200N10L2 数据手册 (6 页)
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焊盘图
引脚图
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IXTX200N10L2 数据手册 (6 页)
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IXTX200N10L2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
极性N-CH
功耗1.04 kW
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)200A
上升时间225 ns
输入电容值(Ciss)23000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1040 W
下降时间27 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1040W (Tc)
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IXTX200N10L2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度16.13 mm
宽度5.21 mm
高度21.34 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTX200N10L2 数据手册

IXTX200N10L2 数据手册
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