Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXTX4N300P3HV Datasheet 文档
IXTX4N300P3HV
来自 AiPCBA

IXTX4N300P3HV 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N沟道 3kV 4A
PDF文件:IXTX4N300P3HV 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IXTX4N300P3HV 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-247-3
功耗960W (Tc)
漏源极电压(Vds)3000 V
输入电容值(Ciss)3680pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)960W (Tc)
查看数据手册 >

IXTX4N300P3HV 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IXTX4N300P3HV 数据手册

IXTX4N300P3HV 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.17 MByte
IXTX4N300P3HV 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.17 MByte

IXTX4N300P3 数据手册

IXTX4N300P3HV 数据手册
IXYS Semiconductor
N沟道 3kV 4A
IXTX4N300P3HV 数据手册
Littelfuse（力特）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet