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IXTY01N100
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IXTY01N100 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:IXTY01N100 编带
PDF文件:IXTY01N100 数据手册 (5 页)
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符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXTY01N100 数据手册 (5 页)
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IXTY01N100 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
通道数1 Channel
漏源极电阻80 Ω
极性N-CH
功耗25 W
漏源极电压(Vds)1000 V
漏源击穿电压1000 V
连续漏极电流(Ids)0.1A
上升时间12 ns
输入电容值(Ciss)54pF @25V(Vds)
额定功率(Max)25 W
下降时间28 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)25W (Tc)
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IXTY01N100 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
材质Silicon
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.38 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTY01N100 数据手册

IXTY01N100 数据手册
IXYS Semiconductor
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