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IXTY08N100P
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IXTY08N100P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-252-3
PDF文件:IXTY08N100P 数据手册 (5 页)封装尺寸在2 页4 页
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焊盘图
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IXTY08N100P 数据手册 (5 页)
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IXTY08N100P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
极性N-CH
功耗42 W
漏源极电压(Vds)1000 V
连续漏极电流(Ids)0.8A
上升时间37 ns
输入电容值(Ciss)240pF @25V(Vds)
额定功率(Max)42 W
下降时间34 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)42W (Tc)
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IXTY08N100P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTY08N100P 数据手册

IXTY08N100P 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.14 MByte
IXTY08N100P 其他数据使用手册
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4 页 / 0.14 MByte

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