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IXTY1R6N100D2
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IXTY1R6N100D2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-252-3
PDF文件:IXTY1R6N100D2 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
IXTY1R6N100D2 数据手册 (5 页)
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IXTY1R6N100D2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
通道数1 Channel
漏源极电阻10 Ω
功耗100 W
漏源极电压(Vds)1000 V
漏源击穿电压1000 V
上升时间65 ns
输入电容值(Ciss)645pF @25V(Vds)
下降时间41 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)100W (Tc)
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IXTY1R6N100D2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度6.22 mm
宽度6.73 mm
高度2.38 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTY1R6N100D2 数据手册

IXTY1R6N100D2 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.16 MByte
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