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IXTY1R6N50D2
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IXTY1R6N50D2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:IXTY1R6N50D2 管装
PDF文件:IXTY1R6N50D2 数据手册 (5 页)封装尺寸在2 页4 页
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焊盘图
引脚图
产品图
IXTY1R6N50D2 数据手册 (5 页)
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IXTY1R6N50D2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
功耗100 W
漏源极电压(Vds)500 V
输入电容值(Ciss)645pF @25V(Vds)
额定功率(Max)100 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)100W (Tc)
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IXTY1R6N50D2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
高度2.38 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTY1R6N50D2 数据手册

IXTY1R6N50D2 数据手册
IXYS Semiconductor
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IXTY1R6N50D2 其他数据使用手册
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