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IXYN120N120C3
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IXYN120N120C3 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227-4
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焊盘图
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IXYN120N120C3 数据手册 (6 页)
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IXYN120N120C3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SOT-227-4
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
额定功率(Max)1200 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1200000 mW

IXYN120N120C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IXYN120N120C3 数据手册

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IXYS Semiconductor
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