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IXYN30N170CV1
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IXYN30N170CV1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXYN30N170CV1 数据手册 (8 页)
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IXYN30N170CV1 数据手册 (8 页)
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IXYN30N170CV1 技术参数、封装参数

类型描述
封装SOT-227-4
功耗680 W
击穿电压(集电极-发射极)1700 V
反向恢复时间160 ns
额定功率(Max)680 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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IXYN30N170CV1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXYN30N170CV1 数据手册

IXYN30N170CV1 数据手册
IXYS Semiconductor
8 页 / 0.2 MByte
IXYN30N170CV1 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
7 页 / 0.2 MByte

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