| 类型 | 描述 |
|---|
| 频率 | 175 MHz |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | DE-275 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 470 W |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10.0 A |
| 上升时间 | 3 ns |
| 输出功率 | 200 W |
| 增益 | 16 dB |
| 输入电容值(Ciss) | 622pF @400V(Vds) |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 10000 mW |
| 额定电压 | 500 V |
IXYS Semiconductor
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IXYS Semiconductor
IXYS RF IXZ210N50L 晶体管, 射频FET, 500 V, 10 A, 470 W, 175 MHz, DE-275
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