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IXZ318N50
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IXZ318N50 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
封装:SMD-6
描述:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZ318N50 18A 500V N Channel ZMOS Switch MOSFET
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IXZ318N50 技术参数、封装参数

类型描述
频率65 MHz
封装SMD-6
输出功率880 W
增益23 dB
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
额定电压500 V
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IXZ318N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
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IXZ318N50 数据手册

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IXZ318 数据手册

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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZ318N50 18A 500V N Channel ZMOS Switch MOSFET
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