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J112G
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J112G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:JFET晶体管
封装:TO-226-3
描述:JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion
PDF文件:J112G 数据手册 (5 页)封装尺寸在5 页
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J112G 数据手册 (5 页)
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J112G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)35.0 V
额定电流50.0 mA
封装TO-226-3
击穿电压-35.0 V
漏源极电阻50 Ω
极性N-Channel
功耗350 mW
漏源极电压(Vds)35.0 V
栅源击穿电压35.0 V
击穿电压35 V
额定功率(Max)350 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)350 mW
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J112G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
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J112G 数据手册

J112G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.08 MByte
J112G 用户编程技术手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.38 MByte
J112G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.19 MByte
J112G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.05 MByte
J112G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
55 页 / 17.24 MByte

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