| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-18 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 0.3 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
| 最小电流放大倍数 | 80 @1mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 360 mW |
| 工作温度(Max) | 200 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bag |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -65℃ ~ 175℃ (TJ) |
Microsemi（美高森美）
1 页 / 0.42 MByte
Microsemi（美高森美）
2 页 / 0.05 MByte
Microsemi（美高森美）
小信号双极NPN硅 SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON
Microsemi（美高森美）
小信号双极NPN硅 SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON
Microsemi（美高森美）
PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
Microsemi（美高森美）
低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
Microsemi（美高森美）
PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
Microsemi（美高森美）
低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
Microsemi（美高森美）
此系列高频，外延平面型晶体管具有低饱和电压。 This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage.
Microsemi（美高森美）
低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
Microsemi（美高森美）
硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors
Microsemi（美高森美）
NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
