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JAN2N3019S
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JAN2N3019S 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-39
描述:低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
PDF文件:JAN2N3019S 数据手册 (6 页)封装尺寸在2 页6 页
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焊盘图
引脚图
产品图
JAN2N3019S 数据手册 (6 页)
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JAN2N3019S 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-39
功耗0.8 W
击穿电压(集电极-发射极)80 V
最小电流放大倍数50 @500mA, 10V
额定功率(Max)800 mW
工作温度(Max)200 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)800 mW
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JAN2N3019S 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bag
材质Silicon
工作温度-65℃ ~ 200℃ (TJ)
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JAN2N3019S 数据手册

JAN2N3019S 数据手册
Microsemi（美高森美）
6 页 / 0.25 MByte
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