| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-39 |
| 功耗 | 1 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 175 V |
| 最小电流放大倍数 | 100 @50mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 工作温度(Max) | 200 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tray |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -65℃ ~ 200℃ (TJ) |
Microsemi（美高森美）
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Microsemi（美高森美）
PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
Microsemi（美高森美）
每NPN型硅开关晶体管合格MIL -PRF- 255分之19500 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255
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NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR
Microsemi（美高森美）
电气特性（ TA = 25° C，除非另有说明） ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C, unless otherwise noted)
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PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
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低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
Microsemi（美高森美）
PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
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