| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 120 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -25.0 V |
| 额定电流 | -800 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 200 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 25 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.8A |
| 最小电流放大倍数 | 160 @100mA, 1V |
| 额定功率(Max) | 200 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 160 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.97 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −25V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -800mA/-0.8A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 120MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 160~320 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| PNP epitaxial planar transistor Low Frequency Power Amplifier Complement to KSC3265 描述与应用| PNP外延平面晶体管 低频功率放大器 补充型KSC3265
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低频功率放大器 Low Frequency Power Amplifier
Fairchild（飞兆/仙童）
PNP 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor KSA1298YMTF , PNP 晶体管, 800mA, Vce=25 V, HFE:40, 1 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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