| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 50 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-226-3 |
| 功耗 | 0.8 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 最小电流放大倍数 | 120 @50mA, 2V |
| 额定功率(Max) | 800 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 800 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 4.7 mm |
| 宽度 | 3.93 mm |
| 高度 | 4.7 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
小信号 NPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
NPN Epitacial硅晶体管 NPN Epitacial Silicon Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSC1008YTA 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 50 MHz, 800 mW, 700 mA, 120 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
NPN 晶体管，高达 1A，Fairchild Semiconductor 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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NPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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小信号 NPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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单晶体管 双极, NPN, 60 V, 50 MHz, 800 mW, 700 mA, 120 hFE
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