类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 700 mA |
封装 | TO-226-3 |
极性 | NPN |
功耗 | 800 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
集电极最大允许电流 | 0.7A |
最小电流放大倍数 | 120 @50mA, 2V |
最大电流放大倍数 | 400 |
额定功率(Max) | 800 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 800 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
材质 | Silicon |
长度 | 4.58 mm |
宽度 | 3.86 mm |
高度 | 4.58 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
NPN Epitacial硅晶体管 NPN Epitacial Silicon Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSC1008YTA 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 50 MHz, 800 mW, 700 mA, 120 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,高达 1A,Fairchild Semiconductor 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
小信号 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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单晶体管 双极, NPN, 60 V, 50 MHz, 800 mW, 700 mA, 120 hFE
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