类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 80 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-226-3 |
针脚数 | 3 Position |
功耗 | 400 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
最小电流放大倍数 | 70 @2mA, 6V |
额定功率(Max) | 400 mW |
直流电流增益(hFE) | 120 |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 400 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Box |
材质 | Silicon |
长度 | 5.2 mm |
宽度 | 4.19 mm |
高度 | 5.33 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
小信号 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor
●### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor
●双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
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音频放大器及高频振荡器 Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSC1815YTA 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 80 MHz, 400 mW, 150 mA, 120 hFE
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
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