| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 150 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-126-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 7 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 300 V |
| 最小电流放大倍数 | 40 @10mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 7 W |
| 直流电流增益(hFE) | 60 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 7000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 8 mm |
| 宽度 | 3.25 mm |
| 高度 | 11 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
高电压 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor
●### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor
●双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
KSC 系列 NPN 7 W 300 V 100 mA 通孔 外延 晶体管 - TO-126
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSC3503DSTU 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 150 MHz, 7 W, 100 mA, 60 hFE
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单晶体管 双极, NPN, 300 V, 150 MHz, 7 W, 100 mA, 60 hFE
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSC3503DS 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 150 MHz, 7 W, 100 mA, 60 hFE
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
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NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil Short Leads
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