| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-126-3 |
| 功耗 | 40 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 最小电流放大倍数 | 750 @1.5A, 3V |
| 额定功率(Max) | 40 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 40000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 60 V 4 A - 40 W 通孔 TO-126-3
ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
整体结构采用内置基射极电阻器 Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors
Fairchild（飞兆/仙童）
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl
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