类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 8.00 A |
封装 | TO-251-3 |
额定功率 | 1.75 W |
极性 | NPN |
功耗 | 1.75 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
集电极最大允许电流 | 8A |
最小电流放大倍数 | 1000 @4A, 4V |
额定功率(Max) | 1.75 W |
直流电流增益(hFE) | 1000 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 1750 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 6.6 mm |
宽度 | 2.3 mm |
高度 | 6.1 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSH122 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, 1000 hFE
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NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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NPN硅达林顿晶体管 NPN Silicon Darlington Transistor
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NPN硅达林顿晶体管 NPN Silicon Darlington Transistor
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSH122TF NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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