类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 500 mA |
封装 | TO-226-3 |
额定功率 | 625 mW |
极性 | NPN |
功耗 | 625 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
集电极最大允许电流 | 0.5A |
最小电流放大倍数 | 10000 @100mA, 5V |
额定功率(Max) | 625 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
增益带宽 | 125MHz (Min) |
耗散功率(Max) | 625 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Box (TB) |
长度 | 4.7 mm |
宽度 | 3.93 mm |
高度 | 5.33 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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达林顿晶体管 Darlington Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
KSP13 系列 30 V 500 mA 通孔 达林顿 晶体管 - TO-92-3
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 125 MHz, 625 mW, 500 mA, 10000 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSP13BU NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=30 V, HFE=5000, 3引脚 TO-92封装
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