类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 300 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-226-3 |
针脚数 | 3 Position |
功耗 | 625 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
最小电流放大倍数 | 100 @150mA, 10V |
额定功率(Max) | 625 mW |
直流电流增益(hFE) | 35 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bag |
长度 | 4.58 mm |
宽度 | 3.86 mm |
高度 | 4.58 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
小信号 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor
●### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor
●双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
通用晶体管 General Purpose Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSP2222ATA 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 35 hFE
ON Semiconductor(安森美)
小信号 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSP2222ATA , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:40, 3引脚 TO-92封装
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSP2222ATF , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:35, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier
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