| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 功耗 | 0.35 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 25 V |
| 最小电流放大倍数 | 60 |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.96 mm |
射频双极晶体管，Fairchild Semiconductor
●### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor
●双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor（安森美）
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Samsung（三星）
KST10 NPN三极管 30V 3A 650MHz 60 500mV/0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 3E VHF/UHF晶体管
Fairchild（飞兆/仙童）
甚高频/超高频晶体管 VHF/UHF Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KST10MTF 晶体管 双极-射频, NPN, 25 V, 650 MHz, 350 mW, 60 hFE
ON Semiconductor（安森美）
射频双极晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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