类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 650 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 25.0 V |
额定电流 | 4 mA |
封装 | SOT-23-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 350 mW |
增益频宽积 | 650 MHz |
击穿电压(集电极-发射极) | 25 V |
最小电流放大倍数 | 60 @4mA, 10V |
额定功率(Max) | 350 mW |
直流电流增益(hFE) | 60 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 0.35 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.9 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 0.93 mm |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Samsung(三星)
KST10 NPN三极管 30V 3A 650MHz 60 500mV/0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 3E VHF/UHF晶体管
Fairchild(飞兆/仙童)
甚高频/超高频晶体管 VHF/UHF Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KST10MTF 晶体管 双极-射频, NPN, 25 V, 650 MHz, 350 mW, 60 hFE
ON Semiconductor(安森美)
射频双极晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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