集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −600mA/- 0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -1.6V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP epitaxial planar transistor General Purpose Transistor 描述与应用| PNP外延平面晶体管 通用晶体管
Samsung（三星）
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Fairchild（飞兆/仙童）
通用晶体管 General Purpose Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KST2907AMTF 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 350 mW, -600 mA, 50 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor KST2907AMTF , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
Samsung（三星）
KST2907A PNP三极管 -60V -600mA/- 0.6A 200MHz 100~300 -1.6V SOT-23/SC-59 marking/标记 2F
Samsung（三星）
KST2907ATF PNP三极管 -60V -600mA/- 0.6A 200MHz 100~300 -1.6V SOT-23/SC-59 marking/标记 2F
Fairchild（飞兆/仙童）
通用晶体管 General Purpose Transistor
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