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L6392DTR 数据手册 (20 页)
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L6392DTR 技术参数、封装参数

L6392DTR 外形尺寸、物理参数、其它

L6392DTR 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 0.56 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
68 页 / 3.38 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
198 页 / 1.42 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 1.17 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
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L6392 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
高电压高侧和低侧驱动器 High-voltage high and low side driver
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  L6392D  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 12.5V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-14
ST Microelectronics(意法半导体)
半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:430mA
ST Microelectronics(意法半导体)
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