| 类型 | 描述 |
|---|
| 频率 | 960 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | PowerSO-10RF |
| 功耗 | 170000 mW |
| 输出功率 | 60 W |
| 增益 | 17.2 dB |
| 测试电流 | 300 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 74pF @26V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 165 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 170000 mW |
| 额定电压 | 80 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
ST Microelectronics（意法半导体）
11 页 / 0.21 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
在塑料包装射频功率晶体管LDMOS增强技术 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
ST Microelectronics（意法半导体）
LET9060C 系列 945 MHz 130 W 80 V N沟道 射频 功率 晶体管 MOSFET - M-243
ST Microelectronics（意法半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
