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LM239D 数据手册 (19 页)
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LM239D 技术参数、封装参数

LM239D 外形尺寸、物理参数、其它

LM239D 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
19 页 / 0.75 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
60 页 / 3.06 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
27 页 / 0.47 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
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LM239 数据手册

TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM239DR  模拟比较器, 四路, 差分, 4, 300 ns, 2V 至 36V, SOIC, 14 引脚
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor### 比较器,ON Semiconductor
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LM239DT  模拟比较器, 四路, 精密电压, 4, 1.3 µs, 2V 至 36V, SOIC, 14 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM239ADR  芯片, 差分比较器, 四路 0.3US SOIC14
TI(德州仪器)
LMx39/LM2901 系列四路比较器Texas Instruments LM139、LM239、LM339 和 LM2901 均为四路差分输入电压比较器,设计用于通过各种电压从单一电源操作。 共模输入电压系列包括接地,该设备具有开路集电极输出。### 比较器,Texas InstrumentsTexas Instruments 系列电压比较器不仅包括传统单、双和四路比较器封装,还包括窗口比较器及过压和欠压监控器。 尽管比较器和运算放大器表面上是相似的设备,但它们在实用应用中的操作大大不同。 运算放大器适用于线性操作,附带适当反馈,而比较器定制用于快速切换且通常在开路模式中操作。 专用电压比较器具有明显较短的传播延迟,且可在饱和条件下具有更快的响应时间。 大多数比较器还更耐受高差分输入电压,且很多比较器具有开路集电极输出,从而可与其他设备并联操作。
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM239PWR  模拟比较器, 四路, 差分, 4, 1.3 µs, 2V 至 36V, ± 1V 至 ± 18V, TSSOP, 14 引脚
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  LM239DG  模拟比较器, 四路, 通用, 4, 1.3 µs, 3V 至 36V, SOIC, 14 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LM239ADT  模拟比较器, 四路, 电压, 4, 1.3 µs, ± 1V 至 ± 18V, SOIC, 14 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LM239PT  模拟比较器, 四路, 低功耗, 4, 1.3 µs, ± 1V 至 ± 16V, TSSOP, 14 引脚
TI(德州仪器)
LMx39/LM2901 系列四路比较器Texas Instruments LM139、LM239、LM339 和 LM2901 均为四路差分输入电压比较器,设计用于通过各种电压从单一电源操作。 共模输入电压系列包括接地,该设备具有开路集电极输出。### 比较器,Texas InstrumentsTexas Instruments 系列电压比较器不仅包括传统单、双和四路比较器封装,还包括窗口比较器及过压和欠压监控器。 尽管比较器和运算放大器表面上是相似的设备,但它们在实用应用中的操作大大不同。 运算放大器适用于线性操作,附带适当反馈,而比较器定制用于快速切换且通常在开路模式中操作。 专用电压比较器具有明显较短的传播延迟,且可在饱和条件下具有更快的响应时间。 大多数比较器还更耐受高差分输入电压,且很多比较器具有开路集电极输出,从而可与其他设备并联操作。
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