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LM311DT 数据手册 (14 页)
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LM311DT 技术参数、封装参数

LM311DT 外形尺寸、物理参数、其它

LM311DT 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.22 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
19 页 / 0.79 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
60 页 / 3.06 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
27 页 / 0.47 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
3 页 / 0.04 MByte

LM311 数据手册

TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM311DR  模拟比较器, 轨至轨, 高速, 1, 115 ns, 3.5V 至 30V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM311P..  模拟比较器, 轨至轨, 高速, 1, 115 ns, 3.5V 至 30V, DIP, 8 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LM311DT  模拟比较器, 单路, 电压, 1, 200 ns, 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
LMx11 系列单路比较器Texas Instruments 的 LM111、LM211 和 LM311 为差分输入电压比较器,具有宽工作电压范围和 200 ns 的响应时间。 这些设备的输入可从系统接地隔离,自由输出可驱动电源导轨或接地负载。 这些单路比较器配有平衡和闪光灯功能。### 比较器,Texas InstrumentsTexas Instruments 系列电压比较器不仅包括传统单、双和四路比较器封装,还包括窗口比较器及过压和欠压监控器。 尽管比较器和运算放大器表面上是相似的设备,但它们在实用应用中的操作大大不同。 运算放大器适用于线性操作,附带适当反馈,而比较器定制用于快速切换且通常在开路模式中操作。 专用电压比较器具有明显较短的传播延迟,且可在饱和条件下具有更快的响应时间。 大多数比较器还更耐受高差分输入电压,且很多比较器具有开路集电极输出,从而可与其他设备并联操作。
ON Semiconductor(安森美)
比较器,ON Semiconductor### 比较器,ON Semiconductor
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM311MX/NOPB  模拟比较器, 单路, 通用, 1, 200 ns, 5V 至 36V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM311N/NOPB  模拟比较器, 单路, 通用, 1, 200 ns, 5V 至 36V, DIP, 8 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LM311D  模拟比较器, 通用, 1, 200 ns, 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM311M  模拟比较器, 通用, 1, 200 ns, 5V 至 ± 15V, SOP, 8 引脚
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  LM311DG  模拟比较器, 通用, 1, 200 ns, 5V 至 30V, SOIC, 8 引脚
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