| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 电源电压 | 6.00V (min) |
| 封装 | SOT-23-6 |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 供电电流 | 355 µA |
| 针脚数 | 6 Position |
| 静态电流 | 400 µA |
| 输入电压(Max) | 75 V |
| 输入电压(Min) | 6 V |
| 输出电压(Max) | 12 V |
| 输出电流(Max) | 265 µA |
| 输出电流(Min) | 35 µA |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 6V ~ 75V |
| 电源电压(Max) | 75 V |
| 电源电压(Min) | 6 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.05 mm |
| 宽度 | 1.75 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
LM5050MK-2/NOPB是一款高压侧OR-ing FET控制器, 配合一个外部MOSFET, 与电源串联, 可用作为理想二极管整流器. 在配电网络中, 该ORing控制器允许MOSFET替代二极管整流器, 从而减少功率损耗与压降. 该控制器为外部N沟道MOSFET提供电荷泵栅极驱动, 以及快速响应比较器, 在电流反向时关闭FET. 可以连接+6到+75V范围的电源, 并可承受高达+100V的瞬变. 该控制器还提供FET测试诊断模式, 允许系统控制器测试短路MOSFET.
● +100V瞬态能力
● 电荷泵栅极驱动器, 用于外部N沟道MOSFET
● MOSFET诊断测试模式
● 电流反转, 快速50ns响应
● 2A峰值栅极关断电流
● 最小VDS钳位, 可实现更快关断
● 绿色产品, 无Sb/Br
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
LM5050-2高端的OR-ing FET控制器 LM5050-2 High Side OR-ing FET Controller
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS LM5050MK-2/NOPB 芯片, FET控制器, OR-ING, TSOT-23-6
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS LM5050MK-2EVAL/NOPB 评估电路板, LM5050-2 OR-ING控制器
National Semiconductor（美国国家半导体）
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