| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 14.0V (max) |
| 封装 | SOIC-8 |
| 上升/下降时间 | 570ns, 430ns |
| 输出接口数 | 2 Output |
| 静态电流 | 200 µA |
| 上升时间 | 570 ns |
| 下降时间 | 430 ns |
| 下降时间(Max) | 430 ns |
| 上升时间(Max) | 570 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 9V ~ 14V |
| 电源电压(Max) | 14 V |
| 电源电压(Min) | 9 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.45 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器，Texas Instruments
●### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas Instruments
TI（德州仪器）
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National Semiconductor（美国国家半导体）
高电压高侧和低侧栅极驱动器 High Voltage High Side and Low Side Gate Driver
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS LM5101AM/NOPB 芯片, MOSFET栅极驱动器
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3A ， 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器 3A, 2A and 1A High Voltage High-Side and Low-Side Gate Drivers
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TEXAS INSTRUMENTS LM5101CMA/NOPB 双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9V-14V电源, 1A输出, 22ns延迟, SOIC-8
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门驱动器 High Voltage High Side and Low Side Gate Driver 8-SOIC
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MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器，Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas Instruments
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3A ， 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器 3A, 2A and 1A High Voltage High-Side and Low-Side Gate Drivers
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TEXAS INSTRUMENTS LM5101ASD/NOPB 驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9V-14V电源, 3A输出, WSON-10
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