类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
上升/下降时间 | 600 ns |
输出接口数 | 2 Output |
输出电压 | ≤550 mV |
输出电流 | 1.8 A |
上升时间 | 600 ns |
下降时间 | 600 ns |
下降时间(Max) | 600 ns |
上升时间(Max) | 600 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
电源电压 | 9V ~ 14V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tube |
长度 | 4.9 mm |
宽度 | 3.9 mm |
高度 | 1.45 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 125℃ (TJ) |
TI(德州仪器)
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TI(德州仪器)
18 页 / 0.85 MByte
National Semiconductor(美国国家半导体)
高电压高侧和低侧栅极驱动器 High Voltage High Side and Low Side Gate Driver
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM5101AM/NOPB 芯片, MOSFET栅极驱动器
TI(德州仪器)
3A , 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器 3A, 2A and 1A High Voltage High-Side and Low-Side Gate Drivers
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM5101CMA/NOPB 双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9V-14V电源, 1A输出, 22ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
门驱动器 High Voltage High Side and Low Side Gate Driver 8-SOIC
TI(德州仪器)
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
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MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
3A , 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器 3A, 2A and 1A High Voltage High-Side and Low-Side Gate Drivers
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM5101ASD/NOPB 驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9V-14V电源, 3A输出, WSON-10
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