| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 10 Pin |
| 封装 | WDFN-10 |
| 上升/下降时间 | 600 ns |
| 输出接口数 | 2 Output |
| 输出电流 | 1.8 A |
| 静态电流 | 400 µA |
| 上升时间 | 600 ns |
| 下降时间 | 600 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | 40 ℃ |
| 电源电压 | 9V ~ 14V |
| 电源电压(Max) | 14 V |
| 电源电压(Min) | 9 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 0.8 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ (TJ) |
半桥 栅极驱动器 IC 反相，非反相 10-WSON（4x4）
TI（德州仪器）
23 页 / 0.97 MByte
TI（德州仪器）
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器，Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas Instruments
TI（德州仪器）
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器，Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas Instruments
TI（德州仪器）
MOSFET驱动器, 半桥, 9 V至14 V电源, 1.8 A输出, 15 ns上升与下降时间, SOIC-8
TI（德州仪器）
门驱动器 High Voltage Half-Bridge Gate Driver with Adaptive Delay 10-WSON -40 to 125
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS LM5104M 双路芯片, MOSFET, 半桥, 9V-14V电源, 1.8A输出, 25ns延迟, SOIC-8
National Semiconductor（美国国家半导体）
高压半桥门极驱动器，具有自适应延迟 High Voltage Half-Bridge Gate Driver with Adaptive Delay
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
